的核心—NAND闪存芯片的分类。 NAND闪存，是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门（NOT-AND），用于确定数字如何存储在闪存设备的芯片中。它可以分为SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我们具体了解一下。

　　SLC（Single-LevelCell，单层单元）SSD在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。当然，它的价格最高。

　　考虑到闪存的消费级特性，MLC（Multi-LevelCell，多层单元）架构可以为每个单元存储2个Bit。尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。相对而言，MLCSSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。

　　eMLC（EnterpriseMulti-LevelCell，企业多级单元）是MLCNAND闪存的一个“增强型”的版本，它在一定程度上弥补了SLC和MLC之间的性能和耐久差距。eMLC驱动器比MLC驱动器贵，但比SLC驱动器便宜得多。尽管每个单元仍然存储2个Bit，但eMLC驱动器的控制器管理数据放置、磨损均衡和一些其他存储操作延长了eMLCSSD的使用寿命。

　　相较于SLC和MLC的Nand闪存，最便宜的是TLC（Triple-LevelCell，三层单元）NAND闪存，每个单元存储3Bit。通常用于性能和耐久性要求相对较低的电子产品，最适合于包含大量读取操作的应用程序，但是随着闪存体系结构的最新改进，3DTLCNANDFlash对持久增强的数据放置和错误纠正技术，使该技术在读密集型企业存储应用程序和工业存储环境中开始了批量使用。

　　总而言之，每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命，这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然，除了制造缺陷，电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效，这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。

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　　，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。

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　　——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。

　　可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。

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　　：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同

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　　的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计

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　　非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于

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　　据《日刊工业新闻》报道，由于移动设备的需求持续增加，东芝(微博)最早计划今年夏天兴建一座新的

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